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文献
J-GLOBAL ID：200902118306108193
整理番号：02A0355768
低温(<300°C)におけるマイクロ波放電O<sub>2</sub>プラズマを使ったSiCの高速酸化
Rapid Oxidation of SiC Using Microwave-Discharged O<sub>2</sub> Plasma at Low Temperatures (<300°C).
SATOH M
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
SHIMADA H
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA T
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
YANAGIHARA S
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 3A ページ： L233-L235 発行年： 2002年03月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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