文献
J-GLOBAL ID:200902118310482610
整理番号:94A0018522
GaAs/AlGaAs系の表面量子井戸の励起子光ルミネセンス
Exciton photoluminescence of surface quantum wells in a GaAs/AlGaAs system.
著者 (2件):
ASTRATOV V N
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
,
VLASOV YU A
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
27
号:
7
ページ:
606-612
発行年:
1993年07月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)