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文献
J-GLOBAL ID：200902118406422383
整理番号：02A0329852
超高真空中における埋込みSiO2上の単結晶Si層の熱凝集
Thermal agglomeration of single-crystalline Si layer on buried SiO2 in ultrahigh vacuum.
NURYADI R
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
ISHIKAWA Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
ONO Y
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
TABE M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 20 号： 1 ページ： 167-172 発行年： 2002年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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