文献
J-GLOBAL ID:200902118564826254
整理番号:02A0614331
ポリ(3-ドデシルチオフェン)と有機絶縁体に基づく電界効果トランジスタのサブしきい値特性
Subthreshold characteristics of field effect transistors based on poly(3-dodecylthiophene) and an organic insulator.
著者 (6件):
SCHEINERT S
(TU Ilmenau, Ilmenau, DEU)
,
PAASCH G
(Leibniz Inst. Solid State and Materials Res., Dresden, DEU)
,
SCHROEDNER M
(TITK, Rudolstadt, DEU)
,
ROTH H-K
(TITK, Rudolstadt, DEU)
,
SENSFUSS S
(TITK, Rudolstadt, DEU)
,
DOLL T
(TU Ilmenau, Ilmenau, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
92
号:
1
ページ:
330-337
発行年:
2002年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)