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文献
J-GLOBAL ID：200902118590274685
整理番号：98A0142849
誘導結合プラズマ法を用いたGaN,AlGaNおよびAlNの高速選択エッチング
High rate and selective etching of GaN, AlGaN, and AlN using an inductively coupled plasma.
SMITH S A
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
WOLDEN C A
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
BREMSER M D
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
HANSER A D
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
DAVIS R F
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
LAMPERT W V
(Air Force Res. Lab., Ohio)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 25 ページ： 3631-3633 発行年： 1997年12月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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