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文献
J-GLOBAL ID：200902118786676978
整理番号：96A0347292
三元InGaAsバルク結晶の多成分帯域溶融成長
Multicomponent Zone Melting Growth of Ternary InGaAs Bulk Crystal.
SUZUKI T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
NAKAJIMA K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
KUSUNOKI T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
KATOH T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 25 号： 3 ページ： 357-361 発行年： 1996年03月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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