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文献
J-GLOBAL ID:200902118786676978   整理番号:96A0347292

三元InGaAsバルク結晶の多成分帯域溶融成長

Multicomponent Zone Melting Growth of Ternary InGaAs Bulk Crystal.
著者 (4件):
SUZUKI T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
NAKAJIMA K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
KUSUNOKI T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
KATOH T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)

資料名:
Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)

巻: 25  号:ページ: 357-361  発行年: 1996年03月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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