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文献
J-GLOBAL ID：200902118856673173
整理番号：98A0932160
SiCの昇華エピタクシーにおける分域発達の研究
Investigation of domain evolution in sublimation epitaxy of SiC.
TUOMINEN M
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
YAKIMOVA R
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
KAKANAKOVA-GEORGIEVA A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
MACMILLAN M F
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
SYVAEJAERVI M
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JANZEN E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 193 号： 1/2 ページ： 101-108 発行年： 1998年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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