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文献
J-GLOBAL ID：200902118871758045
整理番号：98A0969429
カスプ磁場中でのCzochralski結晶成長中,融解シリコンの流れと温度場
Flow and temperature field in molten silicon during Czochralski crystal growth in a cusp magnetic field.
WATANABE M
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
EGUCHI M
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
HIBIYA T
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 193 号： 3 ページ： 402-412 発行年： 1998年10月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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