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文献
J-GLOBAL ID:200902118871758045   整理番号:98A0969429

カスプ磁場中でのCzochralski結晶成長中,融解シリコンの流れと温度場

Flow and temperature field in molten silicon during Czochralski crystal growth in a cusp magnetic field.
著者 (3件):
WATANABE M
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
EGUCHI M
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
HIBIYA T
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 193  号:ページ: 402-412  発行年: 1998年10月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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