文献
J-GLOBAL ID:200902118931906570
整理番号:94A0101002
(111)A GaAsパターン化基板上に成長させた横方向PN接合からのエレクトロルミネセンス
Electroluminescence from Lateral P-N Junctions Grown on (111)A GaAs Patterned Substrates.
著者 (4件):
INAI M
(ATR Optical and Radio Communications Research Lab., Kyoto)
,
YAMAMOTO T
(ATR Optical and Radio Communications Research Lab., Kyoto)
,
TAKEBE T
(ATR Optical and Radio Communications Research Lab., Kyoto)
,
WATANABE T
(ATR Optical and Radio Communications Research Lab., Kyoto)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
32
号:
12A
ページ:
L1718-L1721
発行年:
1993年12月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)