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文献
J-GLOBAL ID：200902119035502016
整理番号：93A0525909
Optimized strained InxGa1-xAs structures for device application.
KLEIN W
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
BOEHM G
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
TRAENKLE G
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
WEIMANN G
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 127 号： 1/4 ページ： 36-40 発行年： 1993年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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