文献
J-GLOBAL ID:200902119136596933
整理番号:01A0990877
新世紀におけるハイパワーロバスト性半導体エレクトロニクス技術
High-power robust semiconductor electronics technologies in the new millennium.
著者 (1件):
SHENAI K
(Univ. Illinois, IL, USA)
資料名:
Microelectronics Journal
(Microelectronics Journal)
巻:
32
号:
5/6
ページ:
397-408
発行年:
2001年05月
JST資料番号:
A0186A
ISSN:
0026-2692
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)