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文献
J-GLOBAL ID：200902119138945633
整理番号：01A0016988
高信頼性p-金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の原子層堆積窒化けい素/SiO2積層ゲート誘電体
Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
NAKAJIMA A
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
YOSHIMOTO T
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
KIDERA T
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
OBATA K
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
YOKOYAMA S
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
SUNAMI H
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
HIROSE M
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 18 ページ： 2855-2857 発行年： 2000年10月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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