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文献
J-GLOBAL ID：200902119251843634
整理番号：93A0781925
高温におけるSiとSiCバイポーラトランジスタの動作特性の理論的予測
Theoretical prediction of the performance of Si and SiC bipolar transistors operating at high temperatures.
LIOU J J
(Univ. Central Florida, FL, USA)
,
KAGER A
(Univ. Central Florida, FL, USA)
資料名：
IEE Proceedings. Part G. Circuits, Devices and Systems
(IEE Proceedings. Part G. Circuits, Devices and Systems)
巻： 140 号： 4 ページ： 289-293 発行年： 1993年08月
JST資料番号： A0160B ISSN： 0143-7089 CODEN： IPGSEB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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