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J-GLOBAL ID：200902119261532416 整理番号：93A0609934

誘電体ベーストランジスタ用高電流密度エミッタ接合

Analysis of high-current-density-emitter junction for dielectric base transistors.

著者 (5件)：

高内英規

(富士通)

吉田晃

(富士通)

田村泰孝

(富士通)

波頭経裕

(富士通)

横山直樹

(富士通)

資料名：

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻： 40th 号： Pt 1 ページ： 125 発行年： 1993年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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