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文献
J-GLOBAL ID：200902119282952784
整理番号：00A0902527
オーバラップゲート構造をした高降伏なGaNのHEMT
High Breakdown GaN HEMT with Overlapping Gate Structure.
ZHANG N-Q
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER S
(Univ. California, CA, USA)
,
PARISH G
(Univ. California, CA, USA)
,
HEIKMAN S
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA K
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 21 号： 9 ページ： 421-423 発行年： 2000年09月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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