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文献
J-GLOBAL ID：200902119367246650
整理番号：02A0113171
シリコン界面制御層を備えた高いDCおよびRF性能を示す新型InGaAs/InAlAs絶縁ゲート擬似形態HEMT
A Novel InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HEMT with a Silicon Interface Control Layer Showing High DC- and RF-Performance.
XIE Y G
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
KASAI S
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TAKAHASHI H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
JIANG C
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASEGAWA H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 22 号： 7 ページ： 312-314 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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