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文献
J-GLOBAL ID：200902119417288669
整理番号：94A0314003
界面トラップ準位に基づくポリシリコンTFTのサブスレッショルドのふるまいの特性化
Characterizing Subthreshold Behavior in Poly-Si TFTs Based on Interface Trap States.
HAYASHI F
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
IKEUCHI H
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
KITAKATA M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
SASAKI I
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1993 ページ： 501-504 発行年： 1993年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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