文献
J-GLOBAL ID:200902119433093444
整理番号:93A0530561
単独ソースのIII-V族前駆体からのMOCVDによる窒化ほう素膜の成長
MOCVD Growth of Boron Nitride Films from Single Source III-V Precursor.
著者 (4件):
PHANI A R
(Indian Inst. Chemical Technology, Hyderabad, IND)
,
DEVI G S
(Indian Inst. Chemical Technology, Hyderabad, IND)
,
ROY S
(Indian Inst. Chemical Technology, Hyderabad, IND)
,
RAO V J
(Indian Inst. Chemical Technology, Hyderabad, IND)
資料名:
Journal of the Chemical Society. Chemical Communications
(Journal of the Chemical Society. Chemical Communications)
号:
8
ページ:
684-685
発行年:
1993年04月21日
JST資料番号:
D0376B
ISSN:
0022-4936
CODEN:
JCCCAT
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)