文献
J-GLOBAL ID:200902119544551000
整理番号:93A0987328
t-ブチルホスフィンを用いたZnドープInP膜の低温高速加熱低圧有機金属化学蒸着
Low-temperature rapid thermal low pressure metalorganic chemical vapor deposition of Zn-doped InP layers using tertiarybutylphosphine.
著者 (6件):
KATZ A
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
FEINGOLD A
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
PEARTON S J
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
MORIYA N
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
BAIOCCHI C J
(AT&T Bell Lab., Pennsylvania)
,
GEVA M
(AT&T Bell Lab., Pennsylvania)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
18
ページ:
2546-2548
発行年:
1993年11月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)