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文献
J-GLOBAL ID：200902119564156280
整理番号：02A0862223
自立した(1-100)方位GaN基板上でのGaNホモエピタクシー
GaN homoepitaxy on freestanding (1<span style=text-decoration:overline>1</span>00) oriented GaN substrates.
CHEN C Q
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
GAEVSKI M E
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
SUN W H
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
WANG H M
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
YANG J W
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
KHAN M A
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
MARUSKA H-P
(Crystal Photonics, Inc., Florida)
,
CHOU M M C
(Crystal Photonics, Inc., Florida)
,
CHAI B
(Crystal Photonics, Inc., Florida)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 17 ページ： 3194-3196 発行年： 2002年10月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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