文献
J-GLOBAL ID:200902119633756391
整理番号:93A0560346
光相互接続用極低しきい値で,かつ高速のInGaAs-GaAs-InGaP埋込みヘテロ構造歪量子井戸レーザ
Ultralow laser threshold and high spped InGaAs-GaAs-InGaP buried heterostructure strained quantum well lasers for optical interconnects.
著者 (4件):
SIN Y K
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
HORIKAWA H
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
MATSUI Y
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAMIJOH T
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
29
号:
10
ページ:
873-875
発行年:
1993年05月13日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)