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文献
J-GLOBAL ID:200902119633756391   整理番号:93A0560346

光相互接続用極低しきい値で,かつ高速のInGaAs-GaAs-InGaP埋込みヘテロ構造歪量子井戸レーザ

Ultralow laser threshold and high spped InGaAs-GaAs-InGaP buried heterostructure strained quantum well lasers for optical interconnects.
著者 (4件):
SIN Y K
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo, JPN)
HORIKAWA H
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo, JPN)
MATSUI Y
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo, JPN)
KAMIJOH T
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo, JPN)

資料名:
Electronics Letters  (Electronics Letters)

巻: 29  号: 10  ページ: 873-875  発行年: 1993年05月13日 
JST資料番号: A0887A  ISSN: 0013-5194  CODEN: ELLEAK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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