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文献
J-GLOBAL ID：200902119677794070
整理番号：93A0950201
低ドープn型シリコン中のマクロ孔生成の物理学
The Physics of Macropore Formation in Low Doped n-Type Silicon.
LEHMANN V
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 140 号： 10 ページ： 2836-2843 発行年： 1993年10月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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