文献
J-GLOBAL ID:200902119807500677
整理番号:93A0682928
InP上のヘテロエピタキシャルGaInPの表面モホロジーと格子変形
Surface morphology and lattice distortion of heteroepitaxial GaInP on InP.
著者 (5件):
BENSAADA A
(Univ. Montreal, Quebec, CAN)
,
COCHRANE R W
(Univ. Montreal, Quebec, CAN)
,
MASUT R A
(Ecole Polytechnique, Quebec, CAN)
,
LEONELLI R
(Univ. Montreal, Quebec, CAN)
,
KAJRYS G
(Univ. Montreal, Quebec, CAN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
130
号:
3/4
ページ:
433-443
発行年:
1993年06月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)