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文献
J-GLOBAL ID:200902119807500677   整理番号:93A0682928

InP上のヘテロエピタキシャルGaInPの表面モホロジーと格子変形

Surface morphology and lattice distortion of heteroepitaxial GaInP on InP.
著者 (5件):
BENSAADA A
(Univ. Montreal, Quebec, CAN)
COCHRANE R W
(Univ. Montreal, Quebec, CAN)
MASUT R A
(Ecole Polytechnique, Quebec, CAN)
LEONELLI R
(Univ. Montreal, Quebec, CAN)
KAJRYS G
(Univ. Montreal, Quebec, CAN)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 130  号: 3/4  ページ: 433-443  発行年: 1993年06月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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