文献
J-GLOBAL ID:200902119891772652
整理番号:93A0555146
シリコン上における超薄急速熱酸化物の界面欠陥
Interface defects of ultrathin rapid-thermal oxide on silicon.
著者 (5件):
STATHIS J H
(IBM Research Division, New York)
,
BUCHANAN D A
(IBM Research Division, New York)
,
QUINLAN D L
(IBM Research Division, New York)
,
PARSONS A H
(IBM Research Division, New York)
,
KOTECKI D E
(IBM Technology Products Division, New York)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
21
ページ:
2682-2684
発行年:
1993年05月24日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)