文献
J-GLOBAL ID:200902119955146777
整理番号:99A0657606
二重GaN/Al0.14Ga0.86Nヘテロ接合中の電子分布に及ぼすピエゾ電場の影響
Influence of a piezoelectric field on the electron distribution in a double GaN/Al0.14Ga0.86N heterojunction.
著者 (5件):
RAMVALL P
(Inst. Physical and Chemical Res. (RIKEN), Saitama, JPN)
,
AOYAGI Y
(Inst. Physical and Chemical Res. (RIKEN), Saitama, JPN)
,
KURAMATA A
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa-ken, JPN)
,
HACKE P
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa-ken, JPN)
,
HORINO K
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa-ken, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
74
号:
25
ページ:
3866-3868
発行年:
1999年06月21日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)