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文献
J-GLOBAL ID：200902119971035934
整理番号：02A0119430
低電圧メモリ回路用の電圧ポンプ利得向上とゲート酸化物の低応力化を図ったCMOSチャージポンプ
CMOS Charge Pumps Using Cross-Coupled Charge Transfer Switches with Improved Voltage Pumping Gain and Low Gate-Oxide Stress for Low-Voltage Memory Circuits.
MIN K-S
(Hynix Semiconductor Inc., Chenongju-si, KOR)
,
AHN J-H
(Hynix Semiconductor Inc., Chenongju-si, KOR)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E85-C 号： 1 ページ： 225-229 発行年： 2002年01月01日
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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