文献
J-GLOBAL ID:200902120092477972
整理番号:99A0977006
Siイオン注入で作製した窓構造を有するAlフリーInGaAs-InGaAsP 0.98μmレーザの高出力と高信頼動作
High-Power and Highly Reliable Operation of Al-Free InGaAs-InGaAsP 0.98-μm Lasers with a Window Structure Fabricated by Si Ion Implantation.
著者 (4件):
HIRAMOTO K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
SAGAWA M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KIKAWA T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TSUJI S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻:
5
号:
3
ページ:
817-821
発行年:
1999年05月
JST資料番号:
W0734A
ISSN:
1077-260X
CODEN:
IJSQEN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)