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文献
J-GLOBAL ID：200902120241070309
整理番号：95A0247380
タングステンゲートを有する短チャネル効果を抑制したサブ0.1μm溝つきゲートMOSFET
Short-Channel-Effect-Suppressed Sub-0.1-μm Grooved-Gate MOSFET’s with W Gate.
KIMURA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TANAKA J
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
NODA H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TOYABE T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
IHARA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 42 号： 1 ページ： 94-100 発行年： 1995年01月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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