文献
J-GLOBAL ID:200902120387768790
整理番号:01A0982332
高密度Cl2/Arプラズマ中のY2O3薄膜のエッチング機構
Etching mechanism of Y2O3 thin films in high density Cl2/Ar plasma.
著者 (2件):
KIM Y-C
(Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
,
KIM C-I
(Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
19
号:
5
ページ:
2676-2679
発行年:
2001年09月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)