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文献
J-GLOBAL ID：200902120440418691
整理番号：00A0147213
ディープサブミクロンRFおよびアナログCMOS用VHP(Vertical High Pressure)酸窒化物ゲート絶縁膜を用いた1/f雑音の改善
Improvement of 1/f noise by using VHP(Vertical High Pressure) oxynitride gate insulator for deep-sub micron RF and analog CMOS.
KIMIJIMA H
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
OHGURO T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
EVANS B
(Ga Sonics International, CA)
,
ACKER B
(Ga Sonics International, CA)
,
BLOOM J
(Ga Sonics International, CA)
,
MABUCHI H
(Ga Sonics International, CA)
,
KWONG D-L
(Univ. Texas at Austin)
,
SASAKI MOMOSE H
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
IWAI H
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1999 ページ： 119-120 発行年： 1999年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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