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文献
J-GLOBAL ID：200902120685073126
整理番号：00A0812199
4H-SiC(0001)表面のオゾン処理の効果
Effects of ozone treatment of 4H-SiC(0001) surface.
KOSUGI R
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
,
ICHIMURA S
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
,
KUROKAWA A
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
,
KOIKE K
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
,
FUKUDA K
(Ultra-low Loss Power Device Technol. Res. Body, Tsukuba, JPN)
,
SUZUKI S
(Ultra-low Loss Power Device Technol. Res. Body, Tsukuba, JPN)
,
OKUSHI H
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
,
YOSHIDA S
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
,
ARAI K
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 159/160 ページ： 550-555 発行年： 2000年06月
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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