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文献
J-GLOBAL ID：200902120707494341
整理番号：95A0875314
エミッタ-ベースヘテロ接合にポテンシャルスパイクの無い格子整合In0.53Al0.22Ga0.25As/InPヘテロ接合バイポーラトランジスタの電気特性
Electrical characteristics of a lattice-matched In0.53Al0.22Ga0.25As/InP heterojunction bipolar transistor with zero potential spike at emitter-base heterojunction.
WU Y H
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SU J S
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HSU W C
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIN W
(Telecommunication Lab., Ministry of Transportation and Communication, Taoyuan, TWN)
,
LIU W C
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 38 号： 10 ページ： 1755-1757 発行年： 1995年10月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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