文献
J-GLOBAL ID:200902120710737212
整理番号:98A0441288
融解KOHによるα-SiC単結晶のエッチング速度論
Etching Kinetics of α-SiC Single Crystals by Molten KOH.
著者 (6件):
KATSUNO M
(Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN)
,
OHTANI N
(Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN)
,
TAKAHASHI J
(Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN)
,
YASHIRO H
(Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN)
,
KANAYA M
(Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN)
,
SHINOYAMA S
(Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
264/268
号:
Pt.2
ページ:
837-840
発行年:
1998年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)