文献
J-GLOBAL ID:200902120715508092
整理番号:02A0865090
希土類ドープGaN 成長,特性,およびエレクトロルミネセンスデバイスの作製
Rare-Earth-Doped GaN: Growth, Properties, and Fabrication of Electroluminescent Devices.
著者 (7件):
STECKL A J
(Univ. Cincinnati, OH, USA)
,
HEIKENFELD J C
(Univ. Cincinnati, OH, USA)
,
LEE D-S
(Univ. Cincinnati, OH, USA)
,
GARTER M J
(Univ. Cincinnati, OH, USA)
,
BAKER C C
(Univ. Cincinnati, OH, USA)
,
WANG Y
(Univ. Cincinnati, OH, USA)
,
JONES R
(Univ. Cincinnati, OH, USA)
資料名:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻:
8
号:
4
ページ:
749-766
発行年:
2002年07月
JST資料番号:
W0734A
ISSN:
1077-260X
CODEN:
IJSQEN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)