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文献
J-GLOBAL ID：200902120758980747
整理番号：97A0624086
6H-SiCへのりんとほう素の注入
Phosphorus and boron implantation in 6H-SiC.
RAO M V
(George Mason Univ., Virginia)
,
GARDNER J A
(George Mason Univ., Virginia)
,
CHI P H
(National Inst. Standards and Technol., Maryland)
,
HOLLAND O W
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
,
KELNER G
(Naval Res. Lab., Washington, DC)
,
KRETCHMER J
(G.E. Corporate Res. and Dev., New York)
,
GHEZZO M
(G.E. Corporate Res. and Dev., New York)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 81 号： 10 ページ： 6635-6641 発行年： 1997年05月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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