文献
J-GLOBAL ID:200902120773647027
整理番号:01A0415446
装置及び特徴スケールモデルを用いたSiO2のC2F6プラズマエッチング中の表面反応の検討
Investigations of surface reactions during C2F6 plasma etching of SiO2 with equipment and feature scale models.
著者 (2件):
ZHANG D
(Univ. Illinois, Illinois)
,
KUSHNER M J
(Univ. Illinois, Illinois)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
19
号:
2
ページ:
524-538
発行年:
2001年03月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)