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文献
J-GLOBAL ID：200902120815234305
整理番号：98A0596562
高効率・高線形性InGaP/GaAs-HBT電力増幅器 位相歪と線形性を改善するソースおよび負荷のインピーダンスの整合法
High Efficiency and High Linearity InGaP/GaAs HBT Power Amplifiers: Matching Techniques of Source and Load Impedance to Improve Phase Distortion and Linearity.
IWAI T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
OHARA S
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
YAMADA H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
YAMAGUCHI Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
IMANISHI K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
JOSHIN K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 45 号： 6 ページ： 1196-1200 発行年： 1998年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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