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文献
J-GLOBAL ID：200902120912984807
整理番号：01A0862316
ダマシンメタルゲートトランジスタのしきい値電圧のずれの改善
Improvement of Threshold Voltage Deviation in Damascene Metal Gate Transistors.
YAGISHITA A
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SAITO T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
NAKAJIMA K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
INUMIYA S
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
MATSUO K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TSUNASHIMA Y
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SUGURO K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
ARIKADO T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 8 ページ： 1604-1611 発行年： 2001年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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