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文献
J-GLOBAL ID：200902120932454286
整理番号：01A0059362
高出力レーザ照射下のSi(111)からのピコ秒時間分解X線回折
Picosecond Time-Resolved X-Ray Diffraction from Si(111) under High-Power Laser Irradiation.
HIRONAKA Y
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
YAZAKI A
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
SAITO F
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
NAKAMURA K G
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
KONDO K
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 10A ページ： L984-L986 発行年： 2000年10月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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