文献
J-GLOBAL ID:200902120934106315
整理番号:93A0568263
GaAs:Cr基板内の電気活性欠陥のクラスタに及ぼす気相エピタクシー工程の影響
Influence of the process of vapor phase epitaxy on clusters of electrically active defects in GaAs:Cr substrates.
著者 (5件):
KALINUSHKIN V P
(Inst. General Physics, Russian Academy of Sciences, Moscow, SUN)
,
YUR’EV V A
(Inst. General Physics, Russian Academy of Sciences, Moscow, SUN)
,
MURIN D I
(Inst. General Physics, Russian Academy of Sciences, Moscow, SUN)
,
PLOPPA M G
(Inst. General Physics, Russian Academy of Sciences, Moscow, SUN)
,
THIEME T V
(Inst. General Physics, Russian Academy of Sciences, Moscow, SUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
27
号:
1
ページ:
104-105
発行年:
1993年01月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)