文献
J-GLOBAL ID:200902120972504324
整理番号:96A0810898
Si L-,K-端吸収分光における全電子および蛍光測定のサンプリング深さ
Sampling depth of total electron and fluorescence measurements in Si L- and K-edge absorption spectroscopy.
著者 (6件):
KASRAI M
(Univ. Western Ontario, Ontario, CAN)
,
LENNARD W N
(Univ. Western Ontario, Ontario, CAN)
,
BRUNNER R W
(Univ. Western Ontario, Ontario, CAN)
,
BANCROFT G M
(Univ. Western Ontario, Ontario, CAN)
,
BARDWELL J A
(National Res. Council of Canada, Ontario, CAN)
,
TAN K H
(Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
99
号:
4
ページ:
303-312
発行年:
1996年08月
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)