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文献
J-GLOBAL ID：200902120972824566
整理番号：93A0807805
Simulation of the lateral electrical field for the analysis of threshold voltage instabilities of suspended-gate field-effect transistors.
GERGINTSCHEW Z
(Technische Univ. Ilmenau, Ilmenau, DEU)
,
SCHIPANSKI D
(Technische Univ. Ilmenau, Ilmenau, DEU)
,
KORNETZKY P
(Technische Univ. Ilmenau, Ilmenau, DEU)
,
EISELE I
(Univ. Bundeswehr Muenchen, Neubiberg, DEU)
,
FLIETNER B
(Univ. Bundeswehr Muenchen, Neubiberg, DEU)
資料名：
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 12 号： 3 ページ： 231-235 発行年： 1993年04月15日
JST資料番号： T0967A ISSN： 0925-4005 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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