前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902120990311827
整理番号：00A0710536
ナノスケールの局所酸化で形成した埋込SiO2超薄膜上の単結晶Siドットの容量-電圧研究
Capacitance-voltage study of single-crystalline Si dots on ultrathin buried SiO2 formed by nanometer-scale local oxidation.
ISHIKAWA Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
KOSUGI M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
KUMEZAWA M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
TSUCHIYA T
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
TABE M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 369 号： 1/2 ページ： 69-72 発行年： 2000年07月03日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。