文献
J-GLOBAL ID:200902121006063830
整理番号:98A0426433
高ドープnおよびp型6H-SiCピエゾ抵抗器のキャラクタリゼーション
Characterization of Highly Doped n- and p-Type 6H-SiC Piezoresistors.
著者 (4件):
OKOJIE R S
(Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA)
,
NED A A
(Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA)
,
KURTZ A D
(Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA)
,
CARR W N
(New Jersey Inst. Technol., NJ, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
45
号:
4
ページ:
785-790
発行年:
1998年04月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)