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文献
J-GLOBAL ID：200902121098357347
整理番号：02A0941229
高いN2圧力下での溶液からのバルクGaNの結晶化機構
Mechanisms of crystallization of bulk GaN from the solution under high N2 pressure.
GRZEGORY I
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL)
,
BOCKOWSKI M
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL)
,
LUCZNIK B
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL)
,
KRUKOWSKI S
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL)
,
ROMANOWSKI Z
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL)
,
WROBLEWSKI M
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL)
,
POROWSKI S
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 246 号： 3/4 ページ： 177-186 発行年： 2002年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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