文献
J-GLOBAL ID:200902121211756300
整理番号:98A0861360
自己整合トレンチ底部コンタクト穴を用いたトレンチ横形電力MOSFET
A trench lateral power MOSFET using self-aligned trench bottom contact holes.
著者 (2件):
FUJISHIMA N
(Univ. Toronto, Ontario, CAN)
,
SALAMA C A T
(Univ. Toronto, Ontario, CAN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1997
ページ:
359-362
発行年:
1997年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)