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文献
J-GLOBAL ID：200902121407626420
整理番号：02A0016463
金属有機気相エピタクシーによってシリコン(111)上に成長させたGaNにおける応力の制御
Stress control in GaN grown on silicon (111) by metalorganic vapor phase epitaxy.
FELTIN E
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
BEAUMONT B
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
LAUEGT M
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
DE MIERRY P
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
VENNEGUES P
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
LAHRECHE H
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
LEROUX M
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
GIBART P
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 20 ページ： 3230-3232 発行年： 2001年11月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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