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文献
J-GLOBAL ID：200902121409026951
整理番号：97A0282435
InGaAsP/InP構造の面内厚み制御を行うシリコンシャドウマスクMOVPE
Silicon shadow mask MOVPE for in-plane thickness control of InGaAsP/InP structures.
SUZUKI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
AOKI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KOMORI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
SATO H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
MINAGAWA S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 170 号： 1/4 ページ： 661-664 発行年： 1997年01月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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