文献
J-GLOBAL ID:200902121428981379
整理番号:00A0164509
AlGaAs/GaAs p-HEMTsの性能劣化についての誘起格子欠陥の影響
Impact of induced lattice defects on performance degradation of AlGaAs/GaAs p-HEMTs.
著者 (9件):
HAKATA T
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
OHYAMA H
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
KURODA S
(Fujitsu quantum device Ltd., Yamanashi, JPN)
,
SIMOEN E
(IMEC, Leuven, BEL)
,
NAKABAYASHI M
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
YONCOKA M
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
TAKAMI Y
(Rikkyo Univ., Kanagawa, JPN)
,
SUNAGA H
(Takasaki JAERI, Gunma, JPN)
,
MIYAHARA K
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
資料名:
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻:
273/274
ページ:
1034-1036
発行年:
1999年12月
JST資料番号:
H0676B
ISSN:
0921-4526
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)