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文献
J-GLOBAL ID:200902121428981379   整理番号:00A0164509

AlGaAs/GaAs p-HEMTsの性能劣化についての誘起格子欠陥の影響

Impact of induced lattice defects on performance degradation of AlGaAs/GaAs p-HEMTs.
著者 (9件):
HAKATA T
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
OHYAMA H
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
KURODA S
(Fujitsu quantum device Ltd., Yamanashi, JPN)
SIMOEN E
(IMEC, Leuven, BEL)
NAKABAYASHI M
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
YONCOKA M
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
TAKAMI Y
(Rikkyo Univ., Kanagawa, JPN)
SUNAGA H
(Takasaki JAERI, Gunma, JPN)
MIYAHARA K
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)

資料名:
Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)

巻: 273/274  ページ: 1034-1036  発行年: 1999年12月 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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