文献
J-GLOBAL ID:200902121632921466
整理番号:93A0912177
低温処理によるエピタキシャルSi面へのGaAsのヘテロエピタクシー
GaAs heteroepitaxy on an epitaxial Si surface with a low-temperature process.
著者 (4件):
MORI H
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
TACHIKAWA M
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
SUGO M
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
ITOH Y
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
14
ページ:
1963-1965
発行年:
1993年10月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)